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哈默納科

半導(dǎo)體共面性CHA-20A-50-C-M1024

半導(dǎo)體共面性CHA-20A-50-C-M1024

背景技術(shù):

半導(dǎo)體封裝焊球后,產(chǎn)品共面性的要求非常高,產(chǎn)品共面性因素決定著終端用戶(hù)是否能直接使用的問(wèn)題,現(xiàn)缺乏一種嚴(yán)格的測(cè)試方法,不能有效的監(jiān)控產(chǎn)品共面性。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供半導(dǎo)體錫球共面性測(cè)試系統(tǒng)及方法,簡(jiǎn)單測(cè)量出產(chǎn)品平面度,為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:本發(fā)明包括有;測(cè)量模塊和數(shù)據(jù)處理模塊,其特征在于,所述測(cè)量模塊連接在數(shù)據(jù)處理模塊上,所述數(shù)據(jù)處理模塊包括無(wú)線(xiàn)接收模塊、理想平面設(shè)定模塊、平面度計(jì)算模塊,所述無(wú)線(xiàn)接收模塊、理想平面設(shè)定模塊、平面度計(jì)算模塊依次串聯(lián)。

優(yōu)選的,所述測(cè)量模塊包括測(cè)量頭、無(wú)線(xiàn)傳輸模塊、移動(dòng)桿和機(jī)座,所述無(wú)線(xiàn)傳輸模塊設(shè)置在測(cè)量頭上,所述測(cè)量頭通過(guò)移動(dòng)桿連接在機(jī)座上。

優(yōu)選的,所述測(cè)量頭包括激光測(cè)距傳感器。

優(yōu)選的,所述移動(dòng)桿包括水平移動(dòng)和上下移動(dòng)。

優(yōu)選的,所述理想平面設(shè)定模塊采用最小二乘法原理。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體錫球共面性測(cè)試方法:

步,測(cè)量頭在移動(dòng)桿的帶動(dòng)下,測(cè)量半導(dǎo)體表面每一個(gè)錫球的點(diǎn)到基板的高度值;

步,將經(jīng)步測(cè)得的高度值通過(guò)無(wú)線(xiàn)傳輸模塊傳輸至數(shù)據(jù)處理模塊;

第三步,在數(shù)據(jù)處理模塊中,理想平面設(shè)定模塊對(duì)高度值進(jìn)行處理,根據(jù)最小二乘法的原理,計(jì)算獲得一個(gè)理想平面,使得所有錫球到該平面的距離的平方和最??;

第四步,計(jì)算錫球至理想平面的距離,其中最遠(yuǎn)距離和最近距離之和為平面度。

本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,操作方便,能夠準(zhǔn)確測(cè)量產(chǎn)品的平面度,嚴(yán)格監(jiān)控產(chǎn)品共面性,提高工作效率,為生產(chǎn)高質(zhì)量的產(chǎn)品提供保障。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖;

圖2為本發(fā)明中關(guān)于測(cè)量模塊的示意圖;

圖中,

1、測(cè)量頭,11、測(cè)量頭,12、無(wú)線(xiàn)傳輸模塊,13、移動(dòng)桿,14、機(jī)座;

2、無(wú)線(xiàn)傳輸模塊,21、無(wú)線(xiàn)接收模塊,22、理想平面設(shè)定模塊,23、平面度計(jì)算模塊。

具體實(shí)施方式

如圖1-2所示可知,本發(fā)明包括有:測(cè)量模塊1和數(shù)據(jù)處理模塊2,其特征在于,所述測(cè)量模塊1連接在數(shù)據(jù)處理模塊2上,所述數(shù)據(jù)處理模塊2包括無(wú)線(xiàn)接收模塊21、理想平面設(shè)定模塊22、平面度計(jì)算模塊23,所述無(wú)線(xiàn)接收模塊21、理想平面設(shè)定模塊22、平面度計(jì)算模塊23依次串聯(lián)。

本實(shí)施中優(yōu)選的,所述測(cè)量模塊1包括測(cè)量頭11、無(wú)線(xiàn)傳輸模塊12、移動(dòng)桿13和機(jī)座14,所述無(wú)線(xiàn)傳輸模塊12設(shè)置在測(cè)量頭11上,所述測(cè)量頭11通過(guò)移動(dòng)桿13連接在機(jī)座14上。

本實(shí)施中優(yōu)選的,所述測(cè)量頭11包括激光測(cè)距傳感器。

本實(shí)施中優(yōu)選的,所述移動(dòng)桿13包括水平移動(dòng)和上下移動(dòng)。

本實(shí)施中優(yōu)選的,所述理想平面設(shè)定模塊22采用最小二乘法原理。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體錫球共面性測(cè)試方法:

步,測(cè)量頭11在移動(dòng)桿13的帶動(dòng)下,測(cè)量半導(dǎo)體表面每一個(gè)錫球的點(diǎn)到基板的高度值;

步,將經(jīng)步測(cè)得的高度值通過(guò)無(wú)線(xiàn)傳輸模塊12傳輸至數(shù)據(jù)處理模塊2;

第三步,在數(shù)據(jù)處理模塊2中,無(wú)線(xiàn)接收模塊21接收高度值,理想平面設(shè)定模塊22對(duì)高度值進(jìn)行處理,根據(jù)最小二乘法的原理,計(jì)算獲得一個(gè)理想平面,使得所有錫球到該平面的距離的平方和最?。?

第四步,平面度計(jì)算模塊23計(jì)算錫球至理想平面的距離,其中最遠(yuǎn)距離和最近距離之和為平面度。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本專(zhuān)利申請(qǐng)的原理及其功效,而非用于限制本專(zhuān)利申請(qǐng)。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本專(zhuān)利申請(qǐng)的精神及范疇下,對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此,舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本專(zhuān)利申請(qǐng)所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變,仍應(yīng)由本專(zhuān)利請(qǐng)的權(quán)利要求所涵蓋。



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