銅互連技術(shù)

銅互連技術(shù)已在0.18 μm和0.13 μm技術(shù)代中使用， 但是， 在0.10 μm以后， 銅互連與低介電常數(shù)絕緣材料共同使用時(shí)的可靠性問(wèn)題還有待研究和開(kāi)發(fā)。

5.2.5 高密度集成電路封裝的工業(yè)化技術(shù)

主要包括系統(tǒng)集成封裝技術(shù)、50 μm以下超薄背面減薄技術(shù)、圓片級(jí)封裝技術(shù)、無(wú)鉛化產(chǎn)品技術(shù)等。

5.2.6 應(yīng)變硅材料制造技術(shù)

應(yīng)變硅的電子和空穴遷移率明顯高于普通的無(wú)應(yīng)變硅材料， 其中以電子遷移率提高尤為明顯。以Si0.8Ge0.2層上的應(yīng)變硅為例，其電子遷移率可以提高50%以上， 這可大大提高NMOS器件的性能，這對(duì)高速高頻器件來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。對(duì)現(xiàn)有的許多集成電路生產(chǎn)線而言， 如果采用應(yīng)變硅材料， 則可以在基本不增加投資的情況下使生產(chǎn)的IC性能明顯改善，同時(shí)也可以大大延長(zhǎng)花費(fèi)巨額投資建成的IC生產(chǎn)線的使用年限。