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哈默納科

半導(dǎo)體 布線(xiàn)完成率FHA-14C-30-E200A-C

半導(dǎo)體 布線(xiàn)完成率FHA-14C-30-E200A-C

隨著集成方法學(xué)和微細(xì)加工技術(shù)的持續(xù)成熟和不斷發(fā)展,以及集成技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,集成電路的發(fā)展趨勢(shì)將呈現(xiàn)小型化、系統(tǒng)化和關(guān)聯(lián)性的態(tài)勢(shì)。[36][13]

5.1.1 器件特征尺寸不斷縮小

1965年以來(lái), 集成電路持續(xù)地按摩爾定律增長(zhǎng), 即集成電路中晶體管的數(shù)目每18個(gè)月增加一倍。每2~3年制造技術(shù)更新一代,這是基于柵長(zhǎng)不斷縮小的結(jié)果, 器件柵長(zhǎng)的縮小又基本上依照等比例縮小的原則, 同時(shí)促進(jìn)了其它工藝參數(shù)的提高。預(yù)計(jì)在未來(lái)的10~15年, 摩爾定律仍將是集成電路發(fā)展所遵循的一條定律, 按此規(guī)律,CMOS器件從亞半微米進(jìn)入納米時(shí)代,即器件的柵長(zhǎng)小于100 nm轉(zhuǎn)到小于50 nm的時(shí)間將在2010年前后。


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