在電子工業(yè)中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù)，也是控制MOSFET閾值電壓的一個(gè)重要手段。因此在當(dāng)代制造大規(guī)模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。

離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質(zhì)離子加速(對(duì)Si，電壓≥105 V)，獲得很大動(dòng)能的雜質(zhì)離子即可以直接進(jìn)入半導(dǎo)體中;同時(shí)也會(huì)在半導(dǎo)體中產(chǎn)生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進(jìn)行退火或激光退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布，并且濃度處不是在表面，而是在表面以內(nèi)的一定深度處。

半導(dǎo)體離子源專用HD減速機(jī)CSF-40-100-2UH的優(yōu)點(diǎn)是能精確控制雜質(zhì)的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝(可防止原來雜質(zhì)的再擴(kuò)散等)，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)(以減小電容效應(yīng))。

在工藝流程中，光刻的下一道工序就是刻蝕或離子注入。在做離子注入時(shí)，有光刻膠保護(hù)的地方，離子束無法穿透光刻膠;在沒有光刻膠的地方離子束才能被注入到襯底中實(shí)現(xiàn)摻雜。因此，用于離子注入工藝的光刻膠必須要能有效地阻擋離子束 。

集成電路前道制程中有許多光刻層之后的工藝是離子注入(ion implantation)，這些光刻層被稱為離子注入光刻層(implant layers)。離子注入完成后，晶圓表面的光刻膠必須被清除掉，清除離子注入后的光刻膠是光刻工藝中的一個(gè)難點(diǎn)。對(duì)清除工藝的要求包括:

(1)干凈徹底地去除襯底上的光刻膠;

(2)盡量避免襯底損傷表面，特別是離子注入?yún)^(qū)域(即沒有光刻膠的區(qū)域);

(3)盡量避免對(duì)器件(如柵極的金屬)造成傷害 。

半導(dǎo)體離子源專用HD減速機(jī)CSF-40-100-2UH

多樣性:原則上任何元素都可以作為注入離子;形成的結(jié)構(gòu)可不受熱力學(xué)參數(shù)(擴(kuò)散、溶解度等)限制;

不改變:不改變工件的原有尺寸和粗糙度等;適合于各類精密零件生產(chǎn)的最后一道工序;

牢固性:注入離子直接和材料表面原子或分子結(jié)合，形成改性層，改性層和基底材料沒有清晰的界面，結(jié)合牢靠，不存在脫落的現(xiàn)象;

不受限:注入過程在材料溫度低于零下、高到幾百上千度都可以進(jìn)行;可對(duì)那些普通方法不能處理的材料進(jìn)行表面強(qiáng)化，如塑料、回火溫度低的鋼材等;