半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器專用HD減速機(jī)CSD-20-160-2UHsemi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器，內(nèi)存儲(chǔ)器就是由稱為存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。按其功能可分為:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱RAM)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM)。體積小、存儲(chǔ)速度快、存儲(chǔ)密度高、與邏輯電路接口容易。

按功能分類

按其功能可分為:半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器專用HD減速機(jī)CSD-20-160-2UH簡(jiǎn)稱RAM)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM)

RAM包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。

ROM 主要用于BIOS存儲(chǔ)器。

按制作工藝分類

可分為:雙極晶體管存儲(chǔ)器和MOS晶體管存儲(chǔ)器。

半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器專用HD減速機(jī)CSD-20-160-2UH按存儲(chǔ)原理分類

可分為:靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種。

優(yōu)點(diǎn)

體積小、存儲(chǔ)速度快、存儲(chǔ)密度高、與邏輯電路接口容易。

缺點(diǎn)

半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器專用HD減速機(jī)CSD-20-160-2UH和磁芯存儲(chǔ)器不同的是，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器屬于易失性存儲(chǔ)器(Volatile Memory)，在電源中斷時(shí)會(huì)使數(shù)據(jù)消失，如RAM(Random Access Memory)。

主要有:

1. 存儲(chǔ)容量:存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時(shí)間:從啟動(dòng)讀(寫)操作到操作完成的時(shí)間

3. 存取周期:兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需間隔的最小時(shí)間

4. 平均故障間隔時(shí)間MTBF(可靠性)

5. 功耗:動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗