半導(dǎo)體快速熱處理專用HD減速機(jī)CSD-20-100-2UH旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片的方式使其加熱溫度或使成長(zhǎng)在晶片表面的薄膜能夠更為均勻，請(qǐng)參閱圖2，其繪示的是現(xiàn)有RTP方法的流程圖。首先，如步驟42，先將半導(dǎo)體晶片載入剛剛降溫下來的RTP反應(yīng)艙中，其中半導(dǎo)體晶片平放在石英針上，且一開始，半導(dǎo)體晶片的溫度約為室溫，低于RTP反應(yīng)艙的內(nèi)壁溫度(通常為30至80℃)。接著，如步驟44，使半導(dǎo)體晶片水平旋轉(zhuǎn)。接著，如步驟46，將工藝氣體導(dǎo)入RTP反應(yīng)艙中。最后，如步驟48，以儲(chǔ)存在計(jì)算機(jī)中的預(yù)設(shè)升溫程序，開始進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的加熱。然而，上述現(xiàn)有技藝以旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片方式進(jìn)行均勻熱處理的RTP方法卻容易導(dǎo)入微粒污染。

因此，半導(dǎo)體快速熱處理專用HD減速機(jī)CSD-20-100-2UH本發(fā)明的主要目的在提供一種改良的半導(dǎo)體晶片熱處理方法，以解決在RTP工藝中可能產(chǎn)生的微粒污染問題。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明揭露一種半導(dǎo)體晶片的快速熱處理方法，包括以下步驟(1)提供一快速熱處理(RTP)反應(yīng)艙，其包括有至少一加熱源、一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)制，用以轉(zhuǎn)動(dòng)半導(dǎo)體晶片，以及一冷卻系統(tǒng)，用以冷卻該RTP反應(yīng)艙的內(nèi)壁；(2)將一半導(dǎo)體晶片載入該RTP反應(yīng)艙中，此時(shí)該RTP反應(yīng)艙的內(nèi)壁由該冷卻系統(tǒng)降溫至溫度；(3)以該加熱源快速預(yù)熱該半導(dǎo)體晶片至一溫度，其中該溫度高于該溫度；以及(4)當(dāng)該半導(dǎo)體晶片的溫度到達(dá)該溫度時(shí)，始啟動(dòng)該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)制，半導(dǎo)體快速熱處理專用HD減速機(jī)CSD-20-100-2UH進(jìn)行該半導(dǎo)體晶片的旋轉(zhuǎn)，且同時(shí)間亦持續(xù)將該半導(dǎo)體晶片的溫度拉升至第三溫度。
為了進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。然而所附圖式僅供參考與輔助說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。