集成電路的發(fā)展

集成電路的發(fā)展經(jīng)歷了一個漫長的過程，以下以時間順序，簡述一下它的發(fā)展過程。1906年，個電子管誕生；1912年前后，電子管的制作日趨成熟引發(fā)了無線電技術(shù)的發(fā)展；1918年前后，逐步發(fā)現(xiàn)了半導體材料；1920年，發(fā)現(xiàn)半導體材料所具有的光敏特性；1932年前后，運用量子學說建立了能帶理論研究半導體現(xiàn)象；1956年，硅臺面晶體管問世；1960年12月，世界上塊硅集成電路制造成功；1966年，美國貝爾實驗室使用比較完善的硅外延平面工藝制造成塊公認的大規(guī)模集成電路。[2] 1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規(guī)模集成電路階段的更高階段。1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝，奔騰系列芯片的推出讓計算機的發(fā)展如虎添翼，發(fā)展速度讓人驚嘆。2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。集成電路制作工藝的日益成熟和各集成電路廠商的不斷競爭，使集成電路發(fā)揮了它更大的功能，更好的服務于社會。由此集成電路從產(chǎn)生到成熟大致經(jīng)歷了如下過程：[3]

電子管——晶體管——集成電路——超大規(guī)模集成電路