下游需求由產(chǎn)品的穩(wěn)定性向性價比切換，產(chǎn)業(yè)分工進(jìn)一步細(xì)化，疊加廣場協(xié)議下日元升值對出口競爭力的削弱，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由盛轉(zhuǎn)衰。進(jìn)入20 世紀(jì)90 年代后，個人電腦（PC）取代大型計算機成為主導(dǎo)產(chǎn)品，相較于更看重高質(zhì)量、高可靠性的大型機、服務(wù)器而言，PC 產(chǎn)品更強調(diào)性價比，限制了日本DRAM 產(chǎn)品核心競爭力的發(fā)揮。

此外，由于美日在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上的交鋒日益激烈，1982 年美國調(diào)查日本芯片對美國的廉價傾銷，隨后要求日本半導(dǎo)體關(guān)稅，1985 年6 月美國半導(dǎo)體協(xié)會就日本電子產(chǎn)品的傾銷提起了301 條款起訴，同年日本簽訂“廣場協(xié)議”導(dǎo)致日元大幅升值，削弱了日本半導(dǎo)體產(chǎn)品的出口競爭力。1986 年日美簽訂了為期5 年的《日美半導(dǎo)體保證協(xié)議》，要求日本擴大外國半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)入日本市場的機會，從而加劇了國內(nèi)半導(dǎo)體市場的競爭。1991 年日美簽訂了《次半導(dǎo)體協(xié)議》，日本承諾將美國半導(dǎo)體產(chǎn)品在國內(nèi)的市場份額從原先的10%提升至20%。

在日美半導(dǎo)體貿(mào)易關(guān)系惡化的同時，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工進(jìn)一步細(xì)化，由傳統(tǒng)IDM 廠商向“fabless（設(shè)計廠）+foundry（代工廠）”的模式切換，而以IDM 模式為主的日本半導(dǎo)體廠商并未及時跟進(jìn)這一分工趨勢。最終，在產(chǎn)品性價比走弱、產(chǎn)業(yè)格局變遷的背景下，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸失去了DRAM 這一主要的產(chǎn)品市場，由盛轉(zhuǎn)衰。根據(jù)IC insights 數(shù)據(jù)，1995 年美國半導(dǎo)體（按公司總部位置劃分）銷售額市占率重回。

韓國半導(dǎo)體抓住了3C 產(chǎn)品的需求特性，逆周期擴張成為半導(dǎo)體強國。韓國的集成電路從“垂直分工”的下游環(huán)節(jié)起步，經(jīng)歷了不斷向上游延伸的進(jìn)軍歷程。以三星為例，20 世紀(jì)70 年代三星通過收購韓裔美籍科學(xué)家姜基東創(chuàng)立的半導(dǎo)體公司50%的股權(quán)進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域，早期三星從鎂光進(jìn)口64K DRAM 芯片進(jìn)行組裝，在生產(chǎn)率水平接近日本之后再開始研發(fā)工藝，最后布局制造和封測，通過培訓(xùn)、聯(lián)合研究培養(yǎng)了大量本土工程師并開發(fā)了多項新技術(shù)。在20 世紀(jì)80 年代日美半導(dǎo)體激烈交鋒的時間窗口期，DRAM 芯片價格大幅下跌造成英特爾退出、NEC 等日企減產(chǎn)，三星卻逆產(chǎn)業(yè)周期進(jìn)行產(chǎn)能、人才擴張，基于更高性價比的產(chǎn)品，借助PC 市場實現(xiàn)DRAM 全球份額的快速擴張，20 世紀(jì)90 年代三星的DRAM“雙向型數(shù)據(jù)通選方案”被認(rèn)定為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，代表著韓國在DRAM 產(chǎn)業(yè)正式超越日本成為。

臺灣半導(dǎo)體抓住了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分工趨勢，成為先進(jìn)的半導(dǎo)體制造基地。同樣是在美國、日本、韓國在半導(dǎo)體市場激烈競爭的20 世紀(jì)80 年代，臺灣抓住了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈深化分工的趨勢，在1985 年、1987 年先后由張忠謀博士、張汝京博士創(chuàng)立了芯片代工廠臺積電、世大，2002 年上半年臺積電成為進(jìn)入全球前十大半導(dǎo)體廠商的晶圓代工廠，到了2018年，臺積電已經(jīng)位列全球半導(dǎo)體廠商第三位。根據(jù)WSTS 數(shù)據(jù)，在代工產(chǎn)業(yè)快速成長的帶動下，2015 年臺灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)值的全球市占率（按照企業(yè)總部所在地進(jìn)行地區(qū)劃分）已經(jīng)達(dá)到6%，僅次于美國（50%）、韓國（17%）、日本（11%）、歐洲（9%）地區(qū)。