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哈默納科

哈默納科焊性熱處理諧波模組CSG-20-160-2A-GR

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電子組件進(jìn)入納米等級(jí)后,在材料方面也開(kāi)始遭遇到一些瓶頸,因?yàn)樵瓉?lái)使用的材料性能已不能滿足要求。最簡(jiǎn)單的一個(gè)例子,是所謂的閘極介電層材料;這層材料的基本要求是要能絕緣,不讓電流通過(guò)。使用的是由硅基材氧化而成的二氧化硅,在一般狀況下這是一個(gè)非常好的絕緣材料。
但因組件的微縮,使得這層材料需要越做越薄。在納米尺度時(shí),如果繼續(xù)使用這個(gè)材料,這層薄膜只能有約 1 納米的厚度,也就是 3 ~ 4 層分子的厚度。但是在這種厚度下,任何絕緣材料都會(huì)因?yàn)?a target="_blank" >量子穿隧效應(yīng)而導(dǎo)通電流,造成組件漏電,以致失去應(yīng)有的功能,因此只能改用其它新材料。但二氧化硅已經(jīng)沿用了三十多年,幾乎是集各種優(yōu)點(diǎn)于一身,這也是使硅能夠在所有的半導(dǎo)體中脫穎而出的關(guān)鍵,要找到比它功能更好的材料與更合適的制作方式,實(shí)在難如登天。
而且,材料是組件或 IC 的基礎(chǔ),一旦改變,所有相關(guān)的設(shè)備與后續(xù)的流程都要跟著改變,真的是牽一發(fā)而動(dòng)全身,所以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還在堅(jiān)持,不到最后一刻絕對(duì)不去改變它。這也是為什么 CPU 會(huì)越來(lái)越燙,消耗的電力越來(lái)越多的原因。因?yàn)镃PU 中,晶體管數(shù)量甚多,運(yùn)作又快速,而每一個(gè)晶體管都會(huì)「漏電」所造成。這種情形對(duì)桌上型計(jì)算機(jī)可能影響不大,但在可攜式的產(chǎn)品如筆記型計(jì)算機(jī)或手機(jī),就會(huì)出現(xiàn)待機(jī)或可用時(shí)間無(wú)法很長(zhǎng)的缺點(diǎn)。
也因?yàn)檫@樣,許多學(xué)者相繼提出各種新穎的結(jié)構(gòu)或材料,例如利用自組裝技術(shù)制作納米碳管晶體管,想利用納米碳管的優(yōu)異特性改善其功能或把組件做得更小。但整個(gè)產(chǎn)業(yè)要做這么大的更動(dòng),在實(shí)務(wù)上是不可行的,頂多只能在特殊的應(yīng)用上,如特殊感測(cè)組件,找到新的出路。


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