半導(dǎo)體生產(chǎn)中的熱處理工藝主要是退火工藝。在離子注入后，哈默納科高溫退火諧波SHA32Y120CG-B12B2硅片的晶格因原子撞擊而損傷。另外被注入離子不占據(jù)硅的晶格，處于晶格間隙位置。經(jīng)過退火處理后雜質(zhì)原子被激活，運(yùn)動到硅片晶格上。退火同時(shí)修復(fù)了晶格損傷。

1.熱處理工藝

晶格修復(fù)溫度大約為500℃，激活雜質(zhì)原子溫度大約為9哈默納科高溫退火諧波SHA32Y120CG-B12B250℃。硅片退火使用兩種方法。

（1） 高溫退火

在高溫爐中將注入雜質(zhì)的硅片加熱至800~1000℃，保溫3哈默納科高溫退火諧波SHA32Y120CG-B12B20分鐘。在此溫度下可修復(fù)晶格損傷，并且實(shí)現(xiàn)硅晶格上原子的替換。這種熱處理工藝會造成雜質(zhì)的擴(kuò)散。