金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸是指在接觸處是一個純電阻，而且該電阻越小越好，使得組件操作時，大部分的電壓降在活動區(qū)(Active region)而不在接觸面。因此，其I-V特性是線性關(guān)系，斜率越大接觸電阻越小，接觸電阻的大小直接影響器件的性能指標(biāo)。

歐姆接觸在金屬處理中應(yīng)用廣泛，實(shí)現(xiàn)的主要措施是在半導(dǎo)體表面層進(jìn)行高摻雜或者引入大量復(fù)合中心。

形成條件:

欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件:

(1)金屬與半導(dǎo)體間有低的勢壘高度(Barrier Height)

(2)半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N ≧10EXP12 cm-3)

前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;后者則使半導(dǎo)體耗盡區(qū)變窄，電子有更多的機(jī)會直接穿透(Tunneling)，而同時使Rc阻值降低。

若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙(Energy Gap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當(dāng)?shù)慕饘倏捎?，必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu) 。

良好的歐姆接觸還應(yīng)該具有以下幾個主要特點(diǎn) :

(1)可再生的低比接觸電阻;

(2)統(tǒng)一的、均勻的接觸一半導(dǎo)體界面，在界面相就有平面同性;

(3)光滑的表面形態(tài);

(4)高溫工作狀態(tài)下的熱穩(wěn)定性;

(5)抗氧化;

(6)好的勃附性;

(7)工藝上的易實(shí)現(xiàn);

(8)好的機(jī)械性能。

歐姆接觸和肖特基接觸