半導體化學機械研磨專用HD減速機CSD-25-100-2A-GR，晶圓制造中，隨著制程技術(shù)的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻(Lithography)技術(shù)對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高，IBM公司于1985年發(fā)展CMOS產(chǎn)品引入，并在1990年成功應用于64MB的DRAM生產(chǎn)中。1995年以后，CMP技術(shù)得到了快速發(fā)展，大量應用于半導體產(chǎn)業(yè)。化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結(jié)合的加工技術(shù)，是機械加工中可以實現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)。

研磨制程根據(jù)研磨對象不同主要分為：硅研磨(Poly CMP)、硅氧化物研磨(Silicon oxide CMP)、碳化硅研磨（Silicon carbide CMP）、鎢研磨(W CMP)和銅研磨(Cu CMP)。

研磨耗材分為以下幾大類：半導體化學機械研磨專用HD減速機CSD-25-100-2A-GR研磨液(Slurry)、研磨墊(Pad)、金剛石盤(Disk)、研磨頭(Head)、清洗刷(Brush)和化學清洗劑與保護劑(Chemical)等。

化學機械研磨技術(shù)綜合了化學研磨和機械研磨的優(yōu)勢。單純的化學研磨，表面精度較高，損傷低，完整性好，不容易出現(xiàn)表面/亞表面損傷，但是研磨速率較慢，半導體化學機械研磨專用HD減速機CSD-25-100-2A-GR材料去除效率較低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比較差；單純的機械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出現(xiàn)表面層/亞表面層損傷，表面粗糙度值比較低?；瘜W機械研磨吸收了兩者各自的優(yōu)點，可以在保證材料去除效率的同時，獲得較完美的表面，得到的平整度比單純使用這兩種研磨要高出1-2個數(shù)量級，并且可以實現(xiàn)納米級到原子級的表面粗糙度。