晶圓是制造半導體芯片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是硅，因此對應的就是硅晶圓。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。在晶圓進行封裝時，一般都需要通過磨片機對晶圓進行減薄厚度，其基本方式是通過半導體晶圓和研磨砂輪的相對運動來實現(xiàn)，分別是通過粗磨和精磨兩個砂輪進行減薄，精磨砂輪的顆粒尺寸直接決定了研磨的品質，但是目前減薄裝置只有一個砂輪，而半導體圓片級封裝領域對同一片晶圓又有不同的研磨品質的要求，其作業(yè)順序只能是：先進行硅面粗磨減薄，再進行精磨減薄，這樣導致需要多次進行磨輪的更換，不但浪費材料，還大大降低了設備的利用率。因此，急需一種可以同時具備兩種磨輪，無需更換磨輪，提高加工效率的磨片裝置。